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大家好，感谢邀请，今天来为大家分享一下P型晶体管的输出特性的问题，以及和简述NPN型晶体管的工作原理的一些困惑，大家要是还不太明白的话，也没有关系，因为接下来将为大家分享，希望可以帮助到大家，解决大家的问题，下面就开始吧！

一、帮我总结下PNP管的特性

1、PNP晶体管是另一种类型晶体管。它的工作原理和NPN晶体管相似，只是在基区运动并放大信号的多数载流子是空穴而不是电子。PNP晶体管的发射结要正偏，基区的电压要比发射区的电压要高,而集电极要是多数载流子空穴通过，集电区的电压要比基区的要低。这一点和NPN晶体管的极间电位正好相反。在双极模拟集成电路中要应用NPN-PNP互补设计以及某些偏置电路极性的要求，需要引入PNP结构的晶体管。如横向PNP管广泛应用于有源负载、电平位移等电路中。它的制作可与普通的 NPN管同时进行，不需附加工序。在横向PNP管中，发射区注入的少子（空穴）在基区中流动的方向与衬底平行，故称为横向 PNP管。纵向PNP管其结构以P型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。N型外延层作基区，用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低电位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。

2、其实PNP管与NPN管的工作原理都是一样的，它们都依靠电子与空穴的复合来参与导电并形成电流。它们各极间都遵循相同的电流分配关系，基极较小的电流可以控制其它各极较大的电流，因此称它们是电流控制型元件。由于它们都有两个PN结，因此称作双极型晶体管。它们都可用于放大、振荡及开关电路，也可用来模拟电阻、电感、电容。

3、PNP与NPN最大的不同是制造集电区、发射区及基区的材料导电特性正好相反。因此，加在它们各极的工作电压也相反。PNP管的发射极工作电压高于基极与集电极，而NPN管的发射极工作电压低于基极与集电极（要注意，这个电压不是单以正负论的，它的高低是对各极间的比较，是相对的）。

4、由于制造上的原因，一开始以锗PNP管为主，接着以硅NPN为主，后来的发展锗与硅都有NPN管与PNP管。

5、PN结有单向导通性。P接正N接负时称正向偏置。此时空间电荷区的宽度减小，两侧离子电荷量减少，扩散电流占主导地位。因此此时的PN结表现为一个很小的电阻。

6、当p接负N接正时称反向偏置，空间电荷区变宽，组织电荷和空穴的扩散，扩散电流减少。漂移运动增强。但是由于P区的电子和N区的空穴很少，所以形成的漂移电流很小。所以反向偏置PN结表现出很大的电阻。

二、场效应管的特性是什么

1、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；

2、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

3、利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

4、组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

6、由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

场效应管分为接合型场效应管和MOS型场效应管两类。

接合型场效应管即使栅极电压为零，也有电流流通，因此用于恒定电流源或因低噪音而用于音频放大器等。

MOS型场效应管因其结构简单、速度快，且栅极驱动简单、具有耐破坏力强等特征，而且使用微细加工技术的话，即可直接提高性能，因此被广泛使用于由LSI的基础器件等高频器件到功率器件（电力控制器件）等的领域中。

参考资料来源：百度百科——场效应管

三、晶体管的作用是什么

1.二极管可以作为单向的开关使用

3.通过三极管的拼接也可以进行逻辑的运算

4.使用的芯片都是通过晶体管的拼接而组成的数字或者模拟电路

晶体管内部的工作原理很简单，对基极PS2707-1与发射极之间流过的电流进行不断地监视，并控制集电极发射极间电流源使基极一发射极间电流的数十至数百倍（依晶体管的种类而异）的电流流在集电极与发射极之间。就是说，晶体管是用基极电流来控制集电极一发射极电流的器件。

从外部来看，因为在基极输入的电流被变大而出现在集电极、发射极端上，所以可看成将输入信号进行了放大。

在实际的晶体管虽然有数千个品种，然而只是在最大规格、电特性和外形等方面有所不同。

晶体管是将基极与发射极间流动的电流检测出来，进而控制集电极一发射极间电流的器件，所以只要使电流在基极与发射极之间流动，它就工作。也就是说，设计一种外部电路使基极一发射极间电流流动就可以了。

晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。

因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视、广播和报纸。

晶体管频率特性参数，常用的有以下2个：

(1)特征频率ft：它是指在测试频率足够高时，使晶体管共发射极电流放大系数时的频率。

在置换晶体管时，主要考虑ft与fb。

通常要求用于置换的晶体管，其ft与fb，应不小于原晶体管对应的ft与fb。

除以上主要参数外，对于一些特殊的晶体管，在置换时还应考虑以下参数：

(1)对于低噪声晶体管，在置换时应当用噪声系数较小或相等的晶体管。

(2)对于具有自动增益控制性能的晶体管，在置换时应当用自动增益控制特性相同的晶体管。

(3)对于开关管，在置换时还要考虑其开关参数。

四、晶体管的主要参数

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。

根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。

1、直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。

2、交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。

hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。

半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管是电路中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。

半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base)和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地、集电极接地。最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

三极管的导通三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的直流偏置，随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变，如果三极管Ib（直流偏置点）一定时，三极管工作在线性区，此时Ic电流的变化只随着Ib的交流信号变化，Ib继续升高，三极管进入饱和状态，此时三极管的Ic不再变化，三极管将工作在开关状态。

三极管为开关管使用时工作在饱和状态1，用放大状态1表示不是很科学。

请对照三极管手册的Ib；Ic曲线加以参考我的回答来理解三极管的工作状态，三极管be结和ce结导通三极管才能正常工作。

如果三极管没有加直流偏置时，放大电路时输入的交流正弦信号正半周时，基极对发射极而言是正的，由于发射结加的是反向电压，此时没有基极电流和集电极电流，此时集电极电流变化与基极反相，在输入电压的负半周，发射极电位对于基极电位为正的，此时由于发射极加的是正向电压，才有基极和集电极电流通过，此时集电极电流变化与基极同相，在三极管没有加直流偏置时三极管be结和ce结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。

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